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本發明提供一種應用于ＭＯＳＦＥＴ電學仿真的ＢＳＩＭ３ ＨＣＩ可靠性模型，該模型提供了根據偏壓條件下的ＭＯＳＦＥＴ施加偏壓時間計算晶體管受ＨＣＩ效應影響退化后輸出特性的方法：在標準ＢＳＩＭ３模型基礎上考慮了其受熱載流子退化效應影響并隨施加偏壓...該專利屬于華東師范大學;上海集成電路研發中心有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過華東師范大學;上海集成電路研發中心有限公司授權不得商用。