溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。

本發明提供一種有一定厚度的硅器件層的ＳＯＩ基片的制造方法，該方法不增加工藝步驟，并能提高形成一定厚度的硅器件層的合格率，該方法包括下列步驟：在器件用硅基片的預定部分形成元件分隔膜，在形成元件分隔膜的器件用硅基片表面和／或支撐基片上形成埋置氧...
該專利屬于現代電子產業株式會社所有，僅供學習研究參考，未經過現代電子產業株式會社授權不得商用。

詳細技術文檔下載地址

溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。