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根據(jù)用于制造半導(dǎo)體器件的方法的至少一個實施方式，該方法包括如下方法步驟：其中將具有第一橫向熱膨脹系數(shù)的輔助載體施加在半導(dǎo)體本體的第一側(cè)上。此外，該方法包括如下方法步驟：其中將具有第二橫向熱膨脹系數(shù)的連接載體施加在所述半導(dǎo)體本體的第二側(cè)上，所...該專利屬于歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司授權(quán)不得商用。