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本申請屬于半導體技術領域，提供了一種GaN HEMT功率器件、制備方法及芯片，GaN HEMT功率器件包括：半導體襯底、第一溝道層、第二溝道層、第一勢壘層、第二勢壘層、蓋帽層、源極電極、漏極電極、柵極電極、陰極電極、陽極電極以及多個電場調節...該專利屬于天狼芯半導體（成都）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過天狼芯半導體（成都）有限公司授權不得商用。
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