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本發明公開一種內連線結構的制造方法，包括以下步驟。提供基底。在基底上形成多個犧牲層。在相鄰兩個犧牲層之間形成介電層。在介電層中具有氣隙。移除多個犧牲層，而形成多個第一開口。在第一開口中形成導電層。一開口。在第一開口中形成導電層。一開口。在第...該專利屬于力晶積成電子制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過力晶積成電子制造股份有限公司授權不得商用。
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本發明公開一種內連線結構的制造方法，包括以下步驟。提供基底。在基底上形成多個犧牲層。在相鄰兩個犧牲層之間形成介電層。在介電層中具有氣隙。移除多個犧牲層，而形成多個第一開口。在第一開口中形成導電層。一開口。在第一開口中形成導電層。一開口。在第...