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本申請公開一種硅單晶的生產(chǎn)方法及其生產(chǎn)裝置，屬于硅單晶技術(shù)領(lǐng)域，包括：將初始原料放入坩堝組件中。通過加熱器對坩堝組件進(jìn)行加熱，初始原料熔化形成硅熔體?？刂茖?dǎo)流筒的至少部分延伸至坩堝組件內(nèi)，用于調(diào)節(jié)硅熔體表面的氣體流速。通過磁場產(chǎn)生機(jī)構(gòu)對硅熔...該專利屬于內(nèi)蒙古中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過內(nèi)蒙古中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司授權(quán)不得商用。