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本發明公開了基于界面缺陷電荷長期存儲的WS<subgt;2</subgt;/h?BN場效應晶體管及其制備方法。基于界面缺陷電荷長期存儲的WS<subgt;2</subgt;/h?BN場效應晶體管他包括：硅/二氧化硅襯...
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