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本發(fā)明公開了一種PVT法生長高純4H?SiC單晶的方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在SiC晶體生長之前，對SiC襯底的Si面進行電化學(xué)刻蝕預(yù)處理，具體為：將SiC襯底的Si面裸露，C面遮掩；襯底遮掩面連接石墨電極用作陽極，陰極選用石墨電極或鉑電極...該專利屬于天津理工大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過天津理工大學(xué)授權(quán)不得商用。