溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。

本發明提供一種提升RC?IGBT中FRD結構反向恢復能力的方法，提供第一導電類型的襯底，在襯底上形成第一導電類型的外延層；在襯底上形成IGBT器件的第二導電類型的第一阱和快速恢復二極管的第二導電類型的第二阱，第一阱上形成有柵極溝槽，柵極溝槽...
該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權不得商用。

詳細技術文檔下載地址

溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。