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本發(fā)明提供一種IGBT器件及其制造方法，該IGBT器件包括：N型半導(dǎo)體層，以及位于所述N型半導(dǎo)體層內(nèi)的：若干個(gè)溝槽，所述溝槽的上部寬度大于下部寬度，屏蔽電極位于所述溝槽中，柵電極位于屏蔽電極的兩側(cè)且位于所述溝槽上部；位于相鄰的所述溝槽之間的...該專利屬于蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司授權(quán)不得商用。