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本發(fā)明提供了一種半導體器件及其制作方法，應用于半導體技術領域。在本發(fā)明中，通過下電極的膜層結構設置為多層且下電極中的多層下電極層之間的形狀和高度不同的方式，形成多個下電極之間具有不同形狀和多層下電極層之間沿垂直方向具有高度差的半導體器件。...該專利屬于福建省晉華集成電路有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過福建省晉華集成電路有限公司授權不得商用。
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