溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。

本公開提供了一種半導體結構和形成方法，其中，半導體結構，包括：襯底、互連結構、多個第一接觸插塞和導電插塞；其中，導電插塞，貫穿襯底，并通過多個第一接觸插塞，連接至互連結構；其中，多個第一接觸插塞中的一部分呈同心環狀排布。這樣，能夠避免導電插...
該專利屬于湖北江城實驗室所有，僅供學習研究參考，未經過湖北江城實驗室授權不得商用。

詳細技術文檔下載地址

溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。