溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明公開了一種BiCMOS工藝中的PN結變容器，通過采用具有正梯形形狀的鍺硅生長前定義窗口，能使P型區的鍺硅層為多晶結構，從而能提高P型區的摻雜濃度，提高器件正向偏置時的電子發射效率。本發明采用了先進的深孔接觸工藝和N型贗埋層的工藝，能極...該專利屬于上海華虹NEC電子有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹NEC電子有限公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明公開了一種BiCMOS工藝中的PN結變容器，通過采用具有正梯形形狀的鍺硅生長前定義窗口，能使P型區的鍺硅層為多晶結構，從而能提高P型區的摻雜濃度，提高器件正向偏置時的電子發射效率。本發明采用了先進的深孔接觸工藝和N型贗埋層的工藝，能極...