溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明提供一種單接觸式自轉公轉基舟，解決氣相沉積生長法在材料生長過程中的厚度不均勻問題。本發明包含有基舟基座，基舟基座上的小圓凹槽內設有襯底基座，基舟基座的鏤空孔內設有轉動輪，轉動輪頂端設有C齒輪，C齒輪與襯底基座的半圈齒輪接觸，轉動輪底端...該專利屬于東莞市中鎵半導體科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過東莞市中鎵半導體科技有限公司授權不得商用。
溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明提供一種單接觸式自轉公轉基舟，解決氣相沉積生長法在材料生長過程中的厚度不均勻問題。本發明包含有基舟基座，基舟基座上的小圓凹槽內設有襯底基座，基舟基座的鏤空孔內設有轉動輪，轉動輪頂端設有C齒輪，C齒輪與襯底基座的半圈齒輪接觸，轉動輪底端...