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本發(fā)明公開了一種太赫茲波高速調(diào)制器及其制作方法，包括襯底層，在該襯底層上生長有緩沖層，在該緩沖層生長有應(yīng)變量子阱結(jié)構(gòu)，在該應(yīng)變量子阱結(jié)構(gòu)的上表面制備的由金屬諧振單元周期陣列組成的金屬超材料結(jié)構(gòu)；所述緩沖層與襯底層材料相同，所述勢阱層的能帶隙...該專利屬于東南大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過東南大學(xué)授權(quán)不得商用。