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本發(fā)明屬于自旋半導體材料技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種組分可控的ZrOx薄膜的制備方法。本發(fā)明采用純度為4N的金屬鋯作為靶材，通過控制反應氣體氧氣與工作氣體氬氣（純度皆為5N）的流量比（代表性的流量比O2:Ar=(4,6,8):35sccm），來改變...該專利屬于復旦大學所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過復旦大學授權(quán)不得商用。