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本發明公開了一種形成PN、PIN、N-型和P-型半導體薄膜的方法，包括以下步驟，提供一熔融的P-型、本質與N-型半導體材料。然后，對此熔融的P-型、本質與N-型半導體材料執行一下拉制程或一鑄膜制程。之后，選擇性地執行一雙邊滾動制程以形成一P...
該專利屬于張良冬所有，僅供學習研究參考，未經過張良冬授權不得商用。

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