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本發明公開了一種SOI?SiGe?HBT平面集成器件及制備方法，其過程為：在SOI襯底上連續生長N-Si、P-SiGe、N-Si層，淀積介質層，制備淺槽隔離，光刻集電區淺槽隔離區域，制備集電區淺槽隔離，刻蝕并淀積介質層，光刻基區淺槽隔離區域...
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