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本發(fā)明公開了一種金屬-多層絕緣體-金屬電容器（MOM）的制作方法，其中：在襯底上沉積第一低K值介質(zhì)層；采用沉積和含氧氣體處理循環(huán)方式，在第一低K值介質(zhì)層上沉積氮化硅層，其包括MOM區(qū)域的第一氮化硅層和非MOM區(qū)域的第二氮化硅層；刻蝕第二氮化...該專利屬于上海華力微電子有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海華力微電子有限公司授權(quán)不得商用。