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本發(fā)明提供了一種提高對(duì)位標(biāo)記清晰度的方法，所述方法包括：在晶圓表面刻蝕對(duì)位標(biāo)記；在所述晶圓上進(jìn)行外延層的生長(zhǎng)；去除對(duì)位標(biāo)記上方生長(zhǎng)的外延層，使得晶圓表面的對(duì)位標(biāo)記露出。該方法通過(guò)在外延層生長(zhǎng)之后增加一次光刻和刻蝕，將底層有對(duì)位標(biāo)記的外延部分...該專利屬于無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司授權(quán)不得商用。