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本發明公開一種制備周期性V形納米硅槽的倍頻方法，包括：在硅襯底上沉積二氧化硅掩膜層，在其上旋涂光刻膠，制備周期性納米光刻膠光柵圖形，采用干法刻蝕技術將該光刻膠光柵圖形轉移至二氧化硅掩膜層，同時在硅層上留下可充當刻蝕掩膜作用的氟碳基有機聚合物...
該專利屬于中國科學院物理研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院物理研究所授權不得商用。

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