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本發明實施例公開了一種IGBT器件及其制作方法，該方法包括：提供基底，所述基底包括本體層、位于所述本體層表面內的阱區和源區以及位于所述本體層表面上的第一柵介質層和柵區；在所述阱區內形成摻雜區，所述摻雜區的橫向寬度未深入到所述柵區下方的溝道區...
該專利屬于中國科學院微電子研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院微電子研究所授權不得商用。

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