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本發明公開了一種IC封裝凸塊的制造工藝，包括如下步驟：提供一硅片，硅片上至少形成有一鋁墊及一硅片護層，在硅片上至少形成一雙層凸塊，雙層凸塊覆蓋鋁墊及硅片護層；在硅片上還至少形成一保護層，在保護層上至少形成一導電層；在硅片表面上至少形成一層厚...
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