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本發明公開了一種微穿通型IGBT器件，包括：襯底，所述襯底具有第一導電類型的集電區、第二導電類型的漂移區、第一導電類型的阱區以及第二導電類型的源區；柵極；位于集電區與漂移區之間的第二導電類型的微穿通區，所述微穿通區的摻雜濃度高于漂移區的摻雜...
該專利屬于中國科學院微電子研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院微電子研究所授權不得商用。

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