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一種含雙柵增強型HEMT器件的集成系統，包括基座以及安裝在基座上的雙柵四端III族氮化物增強型HEMT器件，該器件包括異質結構以及通過異質結構中的二維電子氣形成電連接的源、漏極，該異質結構包括：設置于源、漏極之間的第一半導體，形成于第一半導...
該專利屬于中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所授權不得商用。

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