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本發明涉及一種抑制了半導體單晶中的缺陷產生的制造半導體單晶的方法。該制造方法包括：在生長容器(10)的內壁上形成氧化硼膜(31)的步驟，所述生長容器(10)具有底部和與所述底部連續的主體部；使所述氧化硼膜(31)與含氧化硅的氧化硼熔融液接觸...
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