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本發明涉及電子導電材料的制備技術，具體說是一種氧化鋅摻硅（ZnO:Si）透明導電膜及其制備方法，其特征在于以氧化鋅為主體材料，摻入硅元素組成，二氧化硅的摻入總量為透明導電膜總重量的5%～30%。其制備方法包括如下步驟：將有機鋅鹽、有機硅烷、...該專利屬于中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所授權不得商用。
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本發明涉及電子導電材料的制備技術，具體說是一種氧化鋅摻硅（ZnO:Si）透明導電膜及其制備方法，其特征在于以氧化鋅為主體材料，摻入硅元素組成，二氧化硅的摻入總量為透明導電膜總重量的5%～30%。其制備方法包括如下步驟：將有機鋅鹽、有機硅烷、...