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本發明屬于存儲器技術領域，提出了一種改善增益型eDRAM器件結構。本發明的一種增益eDRAM單元，包括讀MOS晶體管、寫MOS晶體管、寫字線、寫位線、讀字線、讀位線，讀MOS管的柵極和寫MOS管的漏區通過金屬線連接共同構成存儲結點，寫MOS...
該專利屬于復旦大學所有，僅供學習研究參考，未經過復旦大學授權不得商用。

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