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本發明公開了一種改善晶圓內圖案臨界尺寸均勻度的蝕刻方法，以第一蝕刻氣體對未被光刻膠圖案覆蓋的底部抗反射涂層進行蝕刻，當第一蝕刻氣體接觸到襯底時停止蝕刻，以第二蝕刻氣體對殘余的未被光刻膠圖案覆蓋的底部抗反射涂層繼續蝕刻，同時第二蝕刻氣體對光刻...
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