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本發明實施例涉及半導體技術領域，特別涉及處理二極管的方法和二極管，該方法用于在包含第一雜質的襯底上形成場氧化區、有源區和過渡區；其中，所述場氧化區和有源區之間為過渡區；沉積多晶硅后，通過刻蝕工藝在所述有源區內形成柵極層，以及形成覆蓋所述過渡...該專利屬于北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司授權不得商用。