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諸如finFET器件的fin結構這樣的構成半導體器件的一部分的結構形成在半導體襯底上并與其電隔離。該結構由半導體襯底材料構成，并通過絕緣阻擋層與半導體襯底的其余部分電隔離。該絕緣阻擋層通過氧化半導體襯底中未被氧化阻擋層所保護的部分的各向同性...
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