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沉積物和在硅基底表面上生成沉積物的方法。沉積物包含氧化鋁，并且方法包括任何順序下的交替步驟：a）將作為氧前體的水和臭氧中的一種引入反應空間，b）將作為氧前體的水和臭氧中的另一種引入反應空間，c）將鋁前體引入反應空間并隨后吹掃反應空間；條件是...該專利屬于貝尼科公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過貝尼科公司授權(quán)不得商用。
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沉積物和在硅基底表面上生成沉積物的方法。沉積物包含氧化鋁，并且方法包括任何順序下的交替步驟：a）將作為氧前體的水和臭氧中的一種引入反應空間，b）將作為氧前體的水和臭氧中的另一種引入反應空間，c）將鋁前體引入反應空間并隨后吹掃反應空間；條件是...