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一種形成場效晶體管(FET)的方法，所述方法包括：在襯底上沉積溝道材料，所述溝道材料包括石墨烯或納米結構中的一種；在所述溝道材料的第一部分之上形成柵極；形成鄰近所述柵極的間隔物；在所述溝道材料、柵極和間隔物之上沉積接觸材料；在所述接觸材料之...
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