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一種非易失性存儲器設(shè)備（200）包括至少一個無結(jié)晶體管及一個存儲區(qū)。無結(jié)晶體管是薄膜晶體管（TFT），并且包括有兩個維度小于100納米的無結(jié)、重摻雜的半導(dǎo)體溝道（204）。存儲器設(shè)備可以是NAND快閃存儲器或電阻-切換存儲器。存儲器單元可以...該專利屬于桑迪士克科技股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過桑迪士克科技股份有限公司授權(quán)不得商用。