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本發(fā)明公開了一種晶體硅鑄錠用坩堝氮化硅涂層的制作方法，采用液相沉積的方法在坩堝內(nèi)壁的易粘堝區(qū)域制得氮化硅涂層后，對該區(qū)域氮化硅涂層進行致密化和非浸潤性處理，并采用液相沉積的方法在坩堝內(nèi)壁的其它區(qū)域制得氮化硅涂層，最后將氮化硅涂層進行低溫烘烤...該專利屬于東海晶澳太陽能科技有限公司;南京工業(yè)大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過東海晶澳太陽能科技有限公司;南京工業(yè)大學(xué)授權(quán)不得商用。