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一種空穴型氮銦鎵p-InxGa1-xN薄膜，化學(xué)分子式為InxGa1-xN，式中x為0.3-0.8，導(dǎo)電類型為p型，即Mg摻雜空穴型，薄膜厚度為0.2-0.6?m；其制備方法是：首先在MOCVD沉積系統(tǒng)的進樣室中，對襯底表面進行表面等離子體...該專利屬于天津理工大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過天津理工大學(xué)授權(quán)不得商用。