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本發明公開一種Al2O3陶瓷基底上TiO2納米管有序陣列的制備，該方法包括：（1）使用磁控濺射方法在Al2O3陶瓷片上濺射一層純鈦膜；（2）配置陽極氧化溶液；（3）將濺射有鈦膜的Al2O3陶瓷片進行陽極氧化，獲得高度有序的TiO2納米管陣列...該專利屬于上海交通大學;上海納米技術及應用國家工程研究中心有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海交通大學;上海納米技術及應用國家工程研究中心有限公司授權不得商用。