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一種磷硅鎘單晶體的制備方法，以富磷CdSiP2多晶粉末為原料，工藝步驟為：（1）生長容器的清洗與干燥；（2）裝料；（3）將裝有生長原料并封結的雙層坩堝放入三溫區管式晶體生長爐，然后將生長爐的高溫區和低溫區以30~60℃/h的速率分別升溫至1...
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