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本發明公開了一種實現深結低表面濃度的晶體硅擴散工藝，包括如下步驟：（1）將硅片送入擴散爐；（2）升溫過程；（3）恒溫過程（可根據設備調整為多步恒溫）；（4）第一次擴散（低溫沉積）；（5）第一次低溫分布；（6）第一次升溫再分布；（7）第一次恒...該專利屬于湖南紅太陽光電科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過湖南紅太陽光電科技有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種實現深結低表面濃度的晶體硅擴散工藝，包括如下步驟：（1）將硅片送入擴散爐；（2）升溫過程；（3）恒溫過程（可根據設備調整為多步恒溫）；（4）第一次擴散（低溫沉積）；（5）第一次低溫分布；（6）第一次升溫再分布；（7）第一次恒...