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本發明提供了用于在半導體襯底的上方形成光刻膠的系統和方法。一個實施例包括具有濃度梯度的光刻膠。可通過使用一系列干膜光刻膠來形成濃度梯度，其中，每個獨立的干膜光刻膠均具有不同濃度。各個干膜光刻膠可以獨立形成，然后在圖樣化之前被放置到半導體襯底...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
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本發明提供了用于在半導體襯底的上方形成光刻膠的系統和方法。一個實施例包括具有濃度梯度的光刻膠。可通過使用一系列干膜光刻膠來形成濃度梯度，其中，每個獨立的干膜光刻膠均具有不同濃度。各個干膜光刻膠可以獨立形成，然后在圖樣化之前被放置到半導體襯底...