溫馨提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體層中的缺陷消除方法，一種消除與將原子物種注入到被轉(zhuǎn)移到受主襯底（2）上的半導(dǎo)體層（10）中相關(guān)的缺陷的方法，其中，半導(dǎo)體層（10）通過(guò)熱傳導(dǎo)率低于被轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體層（10）的熱傳導(dǎo)率的層（3，3’）而與受主襯底（2）絕熱，所...該專(zhuān)利屬于SOITEC公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)SOITEC公司授權(quán)不得商用。