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本發明涉及晶體硅太陽能的制造，具體的說是一種采用增氫鈍化提高太陽能電池片轉換效率的方法。通過微波在太陽能電池片上沉積氫化的氮化硅膜層作為轉換效率的表面鈍化層和減反射層。本發明在形成氮化硅膜層之前通入氫氣，并將其電離，對電池片進行鈍化，中和懸...該專利屬于中國科學院沈陽科學儀器研制中心有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院沈陽科學儀器研制中心有限公司授權不得商用。
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本發明涉及晶體硅太陽能的制造，具體的說是一種采用增氫鈍化提高太陽能電池片轉換效率的方法。通過微波在太陽能電池片上沉積氫化的氮化硅膜層作為轉換效率的表面鈍化層和減反射層。本發明在形成氮化硅膜層之前通入氫氣，并將其電離，對電池片進行鈍化，中和懸...