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本發明提供一種具有DBR型電流阻擋層的LED芯片及其制作方法,所述制作方法是首先提供一藍寶石襯底,并在藍寶石襯底的上表面形成發光外延層,然后在該發光外延層的P-pad區蝕刻出具有波浪形側壁及平整底面的凹槽,接著在該凹槽的表面形成介質型DBR...該專利屬于上海博恩世通光電股份有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過上海博恩世通光電股份有限公司授權不得商用。
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本發明提供一種具有DBR型電流阻擋層的LED芯片及其制作方法,所述制作方法是首先提供一藍寶石襯底,并在藍寶石襯底的上表面形成發光外延層,然后在該發光外延層的P-pad區蝕刻出具有波浪形側壁及平整底面的凹槽,接著在該凹槽的表面形成介質型DBR...