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一種制作倒裝高電壓交直流發光二極管的方法，包括如下步驟：步驟1：在一上襯底上依次生長成核層、N型摻雜層、發光層和P型摻雜層；步驟2：在P型摻雜層的表面向下刻蝕，刻蝕深度到達上襯底的表面，形成相互絕緣的發光單元；步驟3：在P型摻雜層的表面向下...
該專利屬于中國科學院半導體研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院半導體研究所授權不得商用。

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