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本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光二極管芯片及其制作方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的發(fā)光二極管芯片發(fā)光效率低的問(wèn)題。上述發(fā)光二極管芯片包括：基底；PN結(jié)，其位于基底的一側(cè)并包括P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層；P型電極、N型電極和電流擴(kuò)散層，該P(yáng)型電極、N型電極...該專(zhuān)利屬于京東方科技集團(tuán)股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)京東方科技集團(tuán)股份有限公司授權(quán)不得商用。