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本實用新型提出一種LED芯片，至少包括：外延層，所述外延層包括N型層、位于所述N型層上的發光層、及位于所述發光層上的P型層；金屬功能層，所述金屬功能層位于所述P型層上；銀遷移阻擋層，所述銀遷移阻擋層位于所述P型層上，且位于所述金屬功能層外圍...
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