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本發明公開了一種提高直拉單晶硅軸向電阻率均勻性的方法，包括如下步驟：(1)將多晶硅原料以及固體摻雜劑在氬氣氣氛下熔融，得到穩定的熔硅；(2)在穩定的熔硅中引入籽晶，晶體生長經縮頸、放肩過程，進入等徑生長階段；(3)在等徑生長階段，通入和所述...
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