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本發(fā)明提供一種成膜方法，在處理容器內(nèi)利用等離子體從金屬靶產(chǎn)生金屬離子，然后通過偏壓引入，由此在形成有凹部的被處理體上沉積金屬的薄膜，該成膜方法包括：基膜形成工序，從靶生成金屬離子，通過偏壓將該金屬離子引入到被處理體，在凹部內(nèi)形成基膜；蝕刻工...該專利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會社所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過東京毅力科創(chuàng)株式會社授權不得商用。