溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。
本發(fā)明公開了一種基于Cu膜退火的Si襯底圖形化石墨烯制備方法，主要解決現(xiàn)有技術(shù)制備的石墨烯形狀不規(guī)則，需要先圖形化后，才可制成晶體管且過程復(fù)雜，生產(chǎn)率低的問題。其實現(xiàn)步驟是：首先在Si襯底上生長一層碳化層作為過渡；然后進行3C-SiC薄膜異...該專利屬于西安電子科技大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過西安電子科技大學(xué)授權(quán)不得商用。