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一種銅金屬覆蓋層的制備方法,包括:步驟S1:提供具有冗余銅金屬填充的半導(dǎo)體器件;步驟S2:化學(xué)機(jī)械研磨冗余金屬銅填充所在的表面,并停止在所述防金屬擴(kuò)散層;步驟S3:進(jìn)行離子干法刻蝕,并使得所述銅金屬填充的第二上表面較所述溝槽結(jié)構(gòu)之第一上邊沿...該專利屬于上海華力微電子有限公司所有,僅供學(xué)習(xí)研究參考,未經(jīng)過上海華力微電子有限公司授權(quán)不得商用。